| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FII24N17AH1S | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Box，工厂包装数量：25，... | ||||||
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FII30-06D | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 30 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 150 ... | ||||||
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FII30-12E | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 150... | ||||||
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FII50-12E | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 50 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 150... | ||||||
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FIO50-12BD | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶体管 50 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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FF200R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-7 | IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1.7... | ||||||
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FF300R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-7 | 12 | IGBT 晶体管 1200V 300A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1.7... | ||||||
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FF1200R12KE3 | Infineon Technologies | IHM 130X140-10 | IGBT 晶体管 1200V 1200A IGBT Module | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1.7... | ||||||
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FF1200R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130-10 | IGBT 晶体管 1700V 1200A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：2 V... | ||||||
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FF200R33KF2C | Infineon Technologies | IHM 73X140-8 | IGBT 晶体管 3300V 200A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V，集电极—射极饱和电压：3.4... | ||||||
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FF60U60PWD | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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FGA120N30DTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 300V PDP IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGA15N120ANDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶体管 NPT IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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FGA15N120ANTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 1200V NPT Trench IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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FGA15N120ANTDTU_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3PN-3 | 324 | IGBT 晶体管 1200V NPT Trench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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FGA15N120FTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 1200V 15A Field Stop Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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FGA15S125P | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 FORECAST FG | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1250 V，集电极—射极饱和电压：2.72 V，栅极/... | ||||||
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FGA180N30DTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 TBD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGA180N33ATDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN-3 | 437 | IGBT 晶体管 330V 180A PDP Trench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 ... | ||||||
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FGA180N33ATTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 330V 180A PDP Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 ... | ||||||
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