购物车0种商品
IC邮购网-IC电子元件采购商城
图片 型号 品牌 封装 数量 描述 PDF资料
STGD7NB60S STMicroelectronics DPAK-3 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,RoHS:否,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20...
点击查看STGD7NB60ST4参考图片 STGD7NB60ST4 STMicroelectronics DPAK IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGD7NC60HT4参考图片 STGD7NC60HT4 STMicroelectronics TO-252(D-Pak) IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGD8NC60KDT4参考图片 STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics DPAK IGBT 晶体管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGD8NC60KT4参考图片 STGD8NC60KT4 STMicroelectronics DPAK IGBT 晶体管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGDL6NC60DIT4参考图片 STGDL6NC60DIT4 STMicroelectronics DPAK IGBT 晶体管 600V 6A hyper fast IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGDL6NC60DT4参考图片 STGDL6NC60DT4 STMicroelectronics DPAK 11 IGBT 晶体管 600V 6A N-Channel
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGE200N60K参考图片 STGE200N60K STMicroelectronics ISOTOP? IGBT 晶体管 IGBT 600 V BiPolar ISOTOP Parall Trans
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看STGE200NB60S参考图片 STGE200NB60S STMicroelectronics ISOTOP IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 150Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集电极—发射极最大电压 V...
点击查看STGE50NC60VD参考图片 STGE50NC60VD STMicroelectronics ISOTOP IGBT 晶体管 N-chnl 50A-600V PowerMESH
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集电极—发射极最大电压 V...
点击查看STGE50NC60WD参考图片 STGE50NC60WD STMicroelectronics ISOTOP IGBT 晶体管 N-Ch 600volt 50 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集电极—发射极最大电压 V...
点击查看STGF10NB60SD参考图片 STGF10NB60SD STMicroelectronics TO-220FP IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGF10NC60HD参考图片 STGF10NC60HD STMicroelectronics TO-220FP IGBT 晶体管 IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGF10NC60KD参考图片 STGF10NC60KD STMicroelectronics TO-220FP 1,958 IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGF10NC60SD参考图片 STGF10NC60SD STMicroelectronics TO-220FP IGBT 晶体管 10 A-600 V fast IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1....
点击查看STGF14N60D参考图片 STGF14N60D STMicroelectronics TO-220FP IGBT 晶体管 14A 600V SHRT CIR RUGGED IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看STGF14NC60KD参考图片 STGF14NC60KD STMicroelectronics TO-220FP IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGF19NC60HD参考图片 STGF19NC60HD STMicroelectronics TO-220FP 349 IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGF19NC60KD参考图片 STGF19NC60KD STMicroelectronics TO-220FP IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGF19NC60WD参考图片 STGF19NC60WD STMicroelectronics TO-220FP 29 IGBT 晶体管 N Ch 600V 7A
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...

29/173 首页 上页 [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] 下页 尾页 

IC电子元件查询
IC邮购网电子元件品质保障