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中文参数如下:
安装风格:Through Hole
包装形式:Tube
封装形式:TO-220FP
功率耗散:25 W
栅极—射极漏泄电流:100 nA
在25 C的连续集电极电流:10 A
栅极/发射极最大电压:20 V
集电极—射极饱和电压:1.45 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:STMicroelectronics
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