| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SGH80N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 N-CH/100V/0.58/28A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
|
|
SGH80N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
|
SGI02N120 | Infineon Technologies | TO-262-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度... | ||||||
|
|
SGI13N60UFTU | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
|
|
SGI23N60UFTU | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
|
|
SGI40N60UFTU | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
|
|
SGI6N60UFTU | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
|
SGL160N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
|
SGL160N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 600V/80A/2.0V | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
|
SGL25N120RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
|
|
SGL25N120RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
|
|
SGL40N150DTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 Copak Discrete IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1500... | ||||||
|
|
SGL40N150TU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 Dis IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1500... | ||||||
|
|
SGP02N120 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 14471 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGP02N60 | Infineon Technologies | TO-252-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
SGP04N60 | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
SGP06N60 | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
SGP07N120 | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
|
|
SGP10N60 | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
SGP10N60A | Infineon Technologies | TO-220-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
19/159 首页 上页 [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] 下页 尾页
