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SGL25N120RUFDTU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-264-3
数量：
 6048  
说明：
 IGBT 晶体管
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SGL25N120RUFDTU-TO-264-3图片

SGL25N120RUFDTU PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：25
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：40 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-264-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：270 W
栅极—射极漏泄电流：100 uA
在25 C的连续集电极电流：40 A
栅极/发射极最大电压：+/- 25 V
集电极—射极饱和电压：2.3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SGL25N120RUFDTU的详细信息，包括SGL25N120RUFDTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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