图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FODM8801BR2 | Fairchild Semiconductor | 4-Mini-Flat | 8,676 | 晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor | ||
参数:制造商:Fairchild Semiconductor,RoHS:是,最大集电极/发射极电压:75 V,绝缘电压:3750 Vrms,电流传递比:360 %,最... | ||||||
FODM8801BR2V | Fairchild Semiconductor | 4-Mini-Flat | 晶体管输出光电耦合器 VDE tested, OptoHiT Hi Temp Phototranstr | |||
参数:制造商:Fairchild Semiconductor,RoHS:是,最大集电极/发射极电压:75 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V,绝缘电压:375... | ||||||
FODM8801C | Fairchild Semiconductor | 4-Mini-Flat | 晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Phototrans 75V 1-Ch CTR 400% | |||
参数:制造商:Fairchild Semiconductor,RoHS:是,最大集电极/发射极电压:75 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V,绝缘电压:375... | ||||||
FODM8801CR2 | Fairchild Semiconductor | 4-Mini-Flat | 晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor | |||
参数:制造商:Fairchild Semiconductor,RoHS:是,最大集电极/发射极电压:75 V,绝缘电压:3750 Vrms,电流传递比:560 %,最... | ||||||
K814P | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 3,990 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR >20% | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:AC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K815P | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 1,639 | 晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Single CTR > 600% | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:35 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V,绝... | ||||||
K817P | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 50-600% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K817P1 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 40-80% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K817P2 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 63-125% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K817P3 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 100-200% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K817P4 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 160-320% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K817P5 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 50-150% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K817P6 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 100-300% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K817P7 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 80-160% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K817P8 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 130-260% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K817P9 | Vishay Semiconductors | 4-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 200-400% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K824P | Vishay Semiconductors | 8-DIP | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR >20% | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:AC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K825P | Vishay Semiconductors | 8-DIP | 988 | 晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR > 600% | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:35 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V,绝... | ||||||
K827PH | Vishay Semiconductors | 8-DIP | 1,441 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR 50-600% | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:DC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... | ||||||
K844P | Vishay Semiconductors | 16-DIP | 904 | 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Quad CTR >20% | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:晶体管输出光电耦合器,RoHS:是,输入类型:AC,最大集电极/发射极电压:70 V,最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V,绝... |
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