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中文参数如下:
输出设备:Phototransistor
最大上升时间:5 us
最大下降时间:5.5 us
正向电流:20 mA
包装形式:Reel
封装形式:miniflat-4
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
最大功率耗散:40 mW
电流传递比:360 %
绝缘电压:3750 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V
最大集电极/发射极电压:75 V
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
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