晶体管输出光电耦合器 VDE tested, OptoHiT Hi Temp Phototranstr
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中文参数如下: 输出设备:Phototransistor 最大上升时间:5 us 最大下降时间:5.5 us 正向电流:20 mA 包装形式:Reel 封装形式:miniflat-4 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 最大功率耗散:40 mW 电流传递比:360 % 绝缘电压:3750 Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 最大集电极/发射极电压:75 V RoHS:是 制造商:Fairchild Semiconductor