| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|---|
|
MMBTA 14 LT1 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
11581 |
达林顿晶体管 AF Darlington NPN 30V 0.3A |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V，发射极 - ... |
|
PZTA 14 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223 |
|
达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 V... |
|
SMBTA 14 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
7675 |
达林顿晶体管 AF Darlington NPN 30V 0.3A |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V，发射极 - ... |
|
|
BSP 62 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223 |
|
达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 V... |
|
|
BSP 61 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223 |
|
达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 V... |
|
|
BSP 60 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223 |
|
达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 V... |
|
BSP 52 E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT223-4 |
3 |
达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR |
|
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|NPN - 达林顿|1 A|80 V|1.... |
|
|
BSP 51 E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT223-4 |
|
达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR |
|
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|NPN - 达林顿|1 A|60 V|1.... |
|
|
BSP52E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223-4 |
|
达林顿晶体管 |
|
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V，发射极 - 基极电压... |
|
|
BSP50E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223-4 |
|
达林顿晶体管 |
|
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V，发射极 - 基极电压... |
|
|
BSP51E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223-4 |
|
达林顿晶体管 |
|
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V，发射极 - 基极电压... |
|
|
BSP60E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223-4 |
|
达林顿晶体管 |
|
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V，发射极 - 基极电压... |
|
|
BSP60E6433XT |
Infineon Technologies |
|
|
达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，... |
|
|
BSP61E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223-4 |
|
达林顿晶体管 |
|
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V，发射极 - 基极电压... |
|
|
BSP 50 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223 |
|
达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTORS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 V... |
|
|
BCP 49 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-223 |
|
达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single Dual Collector，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 V... |
|
|
BCV 26 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
17990 |
达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V，发射极 - ... |
|
|
BCV 27 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-23 |
16000 |
达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V，发射极 - ... |
|
BCV 28 E6327 |
Infineon Technologies |
PG-SOT89 |
|
达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTORS |
|
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|PNP - 达林顿|500 mA|30 V... |
|
BCV 29 E6327 |
Infineon Technologies |
SOT-89 |
|
达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTORS |
|
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：达林顿晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V，发射极 - ... |
