| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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IRFZ44STRLPBF |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
785 |
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ44STRR |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ44STRRPBF |
Vishay/Siliconix |
D2PAK（TO-263） |
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MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ46 |
Vishay/Siliconix |
TO-220AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ48PBF |
Vishay/Siliconix |
TO-220AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ48R |
Vishay/Siliconix |
TO-220-3 |
|
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ48RPBF |
Vishay/Siliconix |
TO-220-3 |
984 |
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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|
IRFZ48RS |
Vishay/Siliconix |
D2PAK |
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MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ48RSPBF |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
8,972 |
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ48S |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
|
IRFZ48STRL |
Vishay/Siliconix |
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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TP0101K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23-3（TO-236） |
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MOSFET 20V 0.58A 0.65Ohm |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... |
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TP0101K-T1-GE3 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23 |
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MOSFET 20V 0.58A 0.35W 650mohm @ 4.5V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：0.58 A，电阻汲极/... |
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TP0101T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 0.6A 0.35W |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：0.6 A，电阻... |
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TP0101TS |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
|
MOSFET 20V 1A 0.35W |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：1 A，电阻汲极... |
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TP0202K-T1-E3 |
Vishay/Siliconix |
SOT-23-3（TO-236） |
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MOSFET 30V 0.385A 1.4Ohm |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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TP0202K-T1-GE3 |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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MOSFET 30V 0.385A 350mW 3.5ohm @ 4.5V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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TP0202T |
Vishay/Siliconix |
TO-236-3 |
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MOSFET 20V 0.41A |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.41 A，... |
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TP0205AD-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-363 |
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MOSFET 20V 0.10A |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... |
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TP0205A-T1 |
Vishay/Siliconix |
SOT-323 |
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MOSFET RO 781-SI1303DL-E3 |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：- 180 ... |
