Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIR168DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR172DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 20A 29.8W 8.9mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR316DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 25 Volts 30 Amps 25 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR330DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30 Volts 35 Amps 27.7 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR401DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 1,321 | MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：3... | ||||||
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SIR402DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 35A 36W 6.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR404DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 35,275 | MOSFET 20V 60A 104W 1.6mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIR406DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 40A 48W 3.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，封装形式：PowerPAK SO-8，包装形式：Reel，零件号别名：SIR406DP-GE3，... | ||||||
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SIR408DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25 Volts 21.5 Amps 4.8 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIR410DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3,028 | MOSFET 20V 35A 36W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR412DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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SIR414DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 50A 83W 2.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR416DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 344 | MOSFET 40V 50A 69W 3.8mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR418DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 8,473 | MOSFET 40V 40A 39W 5.0mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，封装形式：PowerPAK SO-8，包装形式：Reel，零件号别名：SIR418DP-GE3，... | ||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 24,360 | MOSFET 40V 40A N-CH MOSFET | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻... | ||||||
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SIR424DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2,552 | MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 50,109 | MOSFET 40V 30A 41.7W 10.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR428DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 30A 22.7W 7.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，封装形式：PowerPAK SO-8，包装形式：Reel，零件号别名：SIR428DP-GE3，... | ||||||
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SIR432DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 28.4A 54W 30.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，封装形式：PowerPAK SO-8，包装形式：Reel，零件号别名：SIR432DP-GE3，... | ||||||
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SIR436DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 40A 50W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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