SIR408DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 3006
说明：: MOSFET 25 Volts 21.5 Amps 4.8 Watts

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SIR408DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIR408DP-GE3
功率耗散：4.8 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0063 Ohms at 10 V
漏极连续电流：21.5 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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