Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIE848DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE850DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PolarPAK-10 | MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIE850DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PolarPAK-10 | MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIE854DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIE854DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIE860DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（M） | MOSFET 30V 178A 104W 2.1mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE860DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（M） | MOSFET 30V 178A 104W 2.1mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE862DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（U） | MOSFET 30V 134A 104W 3.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SIE862DF-GE3，... | ||||||
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SIE864DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（U） | MOSFET 30V 45A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，漏极连续电流：45 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.6 mOhms，配置：Singl... | ||||||
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SIE868DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 40V 169A 125W 2.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SIE868DF-GE3，... | ||||||
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SIE874DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | 413 | MOSFET 20V 60A N-CH MOSFET | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.9... | ||||||
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SIE876DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 60V 110A 125W 6.1mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE878DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 25 Volts 45 Amps 25 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIE882DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 25V 229A 125W 1.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIF902EDZ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK?（2x5） | MOSFET 20V 10.3A 3.5W 2.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIF902EDZ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK-6 | MOSFET 20V 10.3A 3.5W 22mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIF912EDZ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK-6 | MOSFET 30V 10.7A 3.5W 19mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIR158DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 60A 83W 1.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR164DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 5,058 | MOSFET 30V 50A 69W 2.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR166DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 22 | MOSFET 30V 40A N-CH MOSFET | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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