| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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IRFZ30PBF |
Vishay Semiconductors |
TO-220-3 |
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MOSFET N-Chan 50V 30 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... |
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IRFZ44N\45B |
Vishay Semiconductors |
TO-220AB |
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MOSFET TO-220 N-CH 55V 49A |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：41 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... |
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IRFZ44NS\31B |
Vishay Semiconductors |
TO-263 |
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MOSFET USE 781-SUB40N06-25L |
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| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，安装风格：SMD/SMT，封装形式：TO-263，工厂包装数量：800，... |
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FC40SA50FKP |
Vishay Semiconductors |
SOT-227 |
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MOSFET N-Chan 500V 40 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... |
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FA53SA50 |
Vishay Semiconductors |
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MOSFET N-Chan 500V 53 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Tube，工厂包装数量：10，... |
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VS-FA38SA50LCP |
Vishay Semiconductors |
SOT-227-4，miniBLOC |
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MOSFET N-Chan 500V 38 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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VS-FA57SA50LCP |
Vishay Semiconductors |
SOT-227 |
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MOSFET N-Chan 500V 57 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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VS-FB180SA10P |
Vishay Semiconductors |
SOT-227-4，miniBLOC |
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MOSFET N-Chan 100V 180 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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VS-FB190SA10 |
Vishay Semiconductors |
SOT-227-4，miniBLOC |
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MOSFET 190 Amp 100 Volt |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... |
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SI1077X-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
SOT-563，SOT-666 |
21,339 |
MOSFET 20V 78mOhm@4.5V 8A P-Ch |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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SI1480DH-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
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MOSFET 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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SIA437DJ-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
PowerPAK? SC-70-6 |
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MOSFET 20V 14.5mOhm@4.5V 16A P-Ch |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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SIA477EDJ-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
PowerPAK? SC-70-6 |
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MOSFET 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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SIHB10N40D-GE3 |
Vishay Semiconductors |
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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SIHB8N50D-GE3 |
Vishay Semiconductors |
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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MOSFET 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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SIR872DP-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
PowerPAK? SO-8 |
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MOSFET 150V 18mOhm@10V 60A N-Ch |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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SIRA18DP-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
PowerPAK? SO-8 |
1,091 |
MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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SISA12ADN-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
PowerPAK? 1212-8 |
2,975 |
MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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SISA14DN-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
PowerPAK? 1212-8 |
22,270 |
MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 14.1A N-Ch G-IV |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
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SISA18ADN-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
PowerPAK? 1212-8 |
9,686 |
MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 18A N-Ch G-IV |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... |
