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中文参数如下:
上升时间:351 ns
功率耗散:568 W
栅极电荷 Qg:250 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :93 S
下降时间:335 ns
包装形式:Bulk
封装形式:SOT-227
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0054 Ohms
漏极连续电流:190 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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