NXP Semiconductors
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMF370XN T/R | NXP Semiconductors | SOT-323 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：0.... | ||||||
SOT323.jpg)
|
PMF370XN,115 | NXP Semiconductors | SOT-323 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：0.... | ||||||
|
|
PMF3800SN T/R | NXP Semiconductors | SOT-323 | MOSFET TRENCH 30V G3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：0.... | ||||||
|
|
PMF3800SN,115 | NXP Semiconductors | SC-70 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：0.26 A，电阻汲极/源极... | ||||||
|
|
PMF400UN,115 | NXP Semiconductors | SC-70 | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
|
PMF63UN,115 | NXP Semiconductors | SC-70 | MOSFET N-Chan 20V 1.9A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：1.9 A，电阻汲极/... | ||||||
|
|
PMF780SN T/R | NXP Semiconductors | SOT-323 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PMF780SN,115 | NXP Semiconductors | SC-70 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
PMFPB6532UP,115 | NXP Semiconductors | 6-HUSON（2x2） | MOSFET FET-KY P-Channel 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：- 3.5 A，电... | ||||||
|
|
PMFPB6545UP,115 | NXP Semiconductors | 6-HUSON（2x2） | MOSFET FET-KY P-Channel 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：- 3.5 A，电... | ||||||
|
PMG370XN T/R | NXP Semiconductors | SOT-363 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
|
PMG370XN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
|
PMG85XP,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET P-CH -20 V -2 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 2 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：115... | ||||||
|
|
PMGD280UN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | 134,541 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
|
|
PMGD290XN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | 116,335 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PMGD370XN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PMGD400UN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
|
|
PMGD780SN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | 7,705 | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PMGD8000LN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
|
PMK30EP,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET MOSFET P-CH FET 30V 14.9A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
33/82 首页 上页 [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] 下页 尾页
