NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PH4030AL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET 30V 98A N-CH MOSFETs | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：4 mOh... | ||||||
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PH4330L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 5.5A 5-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：95.9 A，电阻汲... | ||||||
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PH4530AL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 80A 5-Pin(4+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1500，... | ||||||
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PH4530L T/R | NXP Semiconductors | SOT-669 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH4530L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH4830L T/R | NXP Semiconductors | LFPAK | MOSFET PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH4830L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH4840S,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH TRENCH 40V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH5030AL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET 30V 80A N-CH MOSFETs | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，漏极连续电流：91 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：5 mOhm... | ||||||
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PH5330E,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH5525L T/R | NXP Semiconductors | LFPAK | MOSFET TRENCH G4- TAPE 7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH5525L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET TRENCH G4- TAPE 7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH6030AL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET 30V 75A N-CH MOSFETs | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，漏极连续电流：79 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.87 m... | ||||||
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PH6030L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 76.7A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：76.7 A，电阻汲... | ||||||
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PH6325L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TRNCH 25V 78.7A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH6530AL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET LFPAK MOSFETs for computing APPS | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.8 mOhms，配置：Singl... | ||||||
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PH7030AL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET 30V 70A N-CH MOSFETs | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，漏极连续电流：76 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：7 mOhm... | ||||||
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PH7030L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH8030L T/R | NXP Semiconductors | SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH8030L,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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