Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFT50N30Q3 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFT50N60P3 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFT52N30Q | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 300V 52A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFT52N50P2 | Ixys | TO-268AA | MOSFET PolarP2 Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：52 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT58N20 | Ixys | TO-268AA | MOSFET 58 Amps 200V 0.08W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：58 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT58N20Q | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 200V 58A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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IXFT60N20F | Ixys | TO-268 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT60N25Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT60N50P3 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 30 | MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFT66N20Q | Ixys | TO-268 | MOSFET 66 Amps 200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：66 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT69N30P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：69 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT6N100F | Ixys | TO-268 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT6N100Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT70N15 | Ixys | TO-268AA | MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT70N20Q3 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 25 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFT70N30Q3 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 60 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IXFT74N20 | Ixys | TO-268AA | MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：74 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT7N90Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFT80N08 | Ixys | TO-268AA | MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极... | ||||||
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IXFT80N085 | Ixys | TO-268AA | MOSFET MOSFET, INTR DIODE 85V, 80A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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