IXFT70N30Q3

厂家：: Ixys
封装：: TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
数量：: 1599
说明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A

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IXFT70N30Q3-TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA图片

IXFT70N30Q3 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：250 ns
功率耗散：830 W
栅极电荷 Qg：98 nC
包装形式：Tube
封装形式：TO-268
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：54 mOhms
漏极连续电流：70 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：300 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFT70N30Q3的详细信息，包括IXFT70N30Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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