Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXFT17N80Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 17 Amps 800V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：17 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT18N100Q3 | Ixys | TO-268AA | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：18 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IXFT18N90P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：18 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT20N100P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻... | ||||||
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IXFT20N60Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT20N80P | Ixys | TO-268AA | MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT20N80Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT21N50F | Ixys | TO-268 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT21N50Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT23N60Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 23 Amps 600V 0.32W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT23N80Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 23 Amps 800V 0.40W Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT24N50 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 24 Amps 500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT24N50Q | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT24N80P | Ixys | TO-268AA | MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT24N90P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | 300 | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT26N50 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT26N50Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT26N60P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA | MOSFET 600V 26A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连... | ||||||
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IXFT26N60Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：26 A，电阻汲... | ||||||
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IXFT28N50F | Ixys | TO-268 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：28 A，电阻汲... | ||||||
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