International Rectifier
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF7828PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 9.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7828TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 30V 13.6A 12.5mOhm 9.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7831PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.6mOhms 40nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7831TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 6,927 | MOSFET MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7832PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7832TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7834PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 29nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7834TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 19A 4.5mOhm 29nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7842PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7842TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7853PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 28nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF7853TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF7854PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 80V Single N-Ch 13.4mOhms 27nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7854TRPBF | International Rectifier | 8-SO | 7,912 | MOSFET MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7855PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7855TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 566 | MOSFET MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7862PBF | International Rectifier | SOIC-8 | 1205 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 30nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7862TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7902PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7902TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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