International Rectifier
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF6218STRLPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET MOSFT PCh -150V -27A 150mOhm 21nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V，闸/源击穿电压：20 ... | ||||||
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IRF630NLPBF | International Rectifier | TO-262 | MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRF630NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 11,625 | MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRF630NSPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF630NSTRLPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRF630NSTRRPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF640NLPBF | International Rectifier | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRF640NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 84,044 | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRF640NSPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 30V 1 N-CH 150mOhm HEXFET 200V VDSS | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF640NSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 51,353 | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRF640NSTRRPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF6603 | International Rectifier | DirectFET? 等容 MT | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF6603TR1 | International Rectifier | DIRECTFET? MT | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF6604 | International Rectifier | Direct-FET MQ | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF6604TR1 | International Rectifier | DIRECTFET? MQ | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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IRF6607 | International Rectifier | DirectFET? 等容 MT | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF6607TR1 | International Rectifier | DIRECTFET? MT | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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IRF6608 | International Rectifier | DirectFET? 等容 ST | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF6608TR1 | International Rectifier | DirectFET? 等容 ST | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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IRF6609 | International Rectifier | DIRECTFET? MT | MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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