International Rectifier
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFHM830DTR2PBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 13nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFHM830DTRPBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | MOSFET MOSFT 30V 40A 4.3mOhm 1.1Ohm RG | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFHM830TR2PBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | MOSFET MOSFT 30V 40A 3.8mOhm | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFHM830TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | 8,775 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFHM831TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET MOSFT 30V 7.8mOhm 24A 7.3nC Qg .9Ohm | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFHM831TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 7.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFHM8363TR2PBF | International Rectifier | 8-PQFN 双（3.3x3.3） | MOSFET MOSFT DUAL N-Ch q 30V 10A POL | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFHM8363TRPBF | International Rectifier | 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 | 8,000 | MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFHM9331TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET MOSFT P-Ch -30V -11A 14.6mOhm 25Vgs | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：25 V... | ||||||
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IRFHM9331TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：25 V... | ||||||
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IRFHS8242TR2PBF | International Rectifier | 6-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 25V 8.5A 13mOhm 4.3 Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFHS8242TRPBF | International Rectifier | 6-PowerVDFN | 4,393 | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFHS8342TR2PBF | International Rectifier | 6-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 30V 8.5A 16mOhm 4.2 Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFHS8342TRPBF | International Rectifier | 6-PowerVDFN | 5,965 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFHS9301TR2PBF | International Rectifier | 6-PQFN（2x2） | MOSFET MOSFT PCh -30V -8.5A 37mOhm -4.5V cpbl | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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IRFHS9301TRPBF | International Rectifier | 6-PowerVDFN | 39,507 | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRFHS9351TR2PBF | International Rectifier | 6-PQFN 双通道（2x2） | MOSFET Dual MOSFT PCh -30V 170mOhm -4.5V cpbl | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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IRFHS9351TRPBF | International Rectifier | 6-PQFN（2x2） | 81 | MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRFI1010NPBF | International Rectifier | TO-220-3 整包 | MOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFI1310NPBF | International Rectifier | TO-220-3 整包 | MOSFET MOSFT 100V 22A 36mOhm 80nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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