International Rectifier
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFH5053TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | 4,000 | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5104TR2PBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | 349 | MOSFET MOSFT 40V 100A 3.5mOhm 53nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH5104TRPBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 53nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5106TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 60V Gen 10.7 4.98mOhm 56.2nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5106TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 5.6mOhms 50nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5110TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 100V Gen 10.7 11.68mOhm 56.2nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5110TRPBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5204TR2PBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | MOSFET MOSFT 40V 100A 4.3mOhm 42nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5204TRPBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 42nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5206TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 60V 87A 7mOhm 40nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5206TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 60V SINGLE N-CH 6.7mOhms 40nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5207TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 75V Gen 10.7 10.11mOhm 43.5nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5207TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9.6mOhms 39nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5210TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 100V 55A 14.9mOhm 39nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5210TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5215TR2PBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | MOSFET MOSFT 150V 27A 58mOhm 20nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5215TRPBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | 5,886 | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5220TR2PBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | MOSFET MOSFT 200V 20A 100mOhm 20nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5220TRPBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 99.9mOhms 20nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5250DTR2PBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET MOSFT 25V FETky 100A 1.4mOhm 39nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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