Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPW60R190P6 | Infineon Technologies | TO-247 | MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 190 Rds | ||
| 参数：制造商：Infineon，封装形式：TO-247，... | ||||||
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IPW60R199CP | Infineon Technologies | TO-247 | 140 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX PWR 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPW60R250CP | Infineon Technologies | PG-TO247-3-1 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.250Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPW60R280C6 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | 190 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPW60R280E6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 255 | MOSFET 600V CoolMOS E6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13.8... | ||||||
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IPW60R299CP | Infineon Technologies | TO-247 | 240 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPW65R037C6 | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPW65R037C6FKSA1 IPW65R037C6XK SP000756284，... | ||||||
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IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel MOSFET 650V | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDXK SP000756288... | ||||||
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IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | TO-247-3 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPW65R048CFDA IPW65R048CFDAXK，... | ||||||
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IPW65R070C6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 230 | MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：53.5... | ||||||
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IPW65R080CFD | Infineon Technologies | TO-247 | 369 | MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：43.3 A，电... | ||||||
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IPW65R110CFD | Infineon Technologies | TO-247-3 | 8 | MOSFET N-Channel MOSFET 650V 110mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：31.2... | ||||||
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IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPW65R110CFDA IPW65R110CFDAXK，... | ||||||
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IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPW65R150CFDA IPW65R150CFDAXK，... | ||||||
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IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：22.4 A，电... | ||||||
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IPW65R190C6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 190 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20.2... | ||||||
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IPW65R190CFD | Infineon Technologies | TO-247 | 176 | MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：17.5 A，电... | ||||||
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IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPW65R190CFDA IPW65R190CFDAXK，... | ||||||
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IPW65R190E6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 220 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20.2... | ||||||
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IPW65R280C6 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 240 | MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13.8... | ||||||
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