Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPD06N60C3 | Infineon Technologies | TO-252 | 3035 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 6.2A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
SPD06N80C3 | Infineon Technologies | TO-252 | 678 | MOSFET COOL MOS POWER TRANSISTOR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
SPD07N20 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 200 V 7 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
SPD07N20 G | Infineon Technologies | TO-252 | 308 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
|
|
SPD07N60C3 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET MOSFET N-Channel | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
SPD07N60S5 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 600 V 7.3 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
SPD07N60S5XT | Infineon Technologies | TO-252-3 | MOSFET COOL MOS N-Ch 600V | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：3.5 V，漏极连续电流：7.3 A，电... | ||||||
|
|
SPD08N50C3 | Infineon Technologies | TO-252 | 2748 | MOSFET COOL MOS N-CH 500V 7.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
SPD08P06P G | Infineon Technologies | TO-252 | 468 | MOSFET P-CH 60V 8.8A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
|
|
SPD09P06PL | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET P-CH 60V 9.7A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
|
|
SPD09P06PL G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET POWER MOSFET DISCRETE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
|
|
SPD11N10 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 12 V 30 mA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
SPD15P10P G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET P-CH 100V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
|
|
SPD15P10PL G | Infineon Technologies | TO-252 | 1475 | MOSFET P-CH 100V 15A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
|
|
SPD18P06P G | Infineon Technologies | TO-252 | 4790 | MOSFET P-CH 60V 18.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
|
|
SPD30N03S2L-07 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
SPD30N03S2L-07 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，零件号别名：SP000443922 SPD30N03S2L07GBTMA1 ... | ||||||
|
SPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
SPD30N03S2L-10 G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
SPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
9/305 首页 上页 [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] 下页 尾页
