SPD11N10

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 7371  
说明:
 MOSFET N-CH 12 V 30 mA
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SPD11N10 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:29 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:46 ns
功率耗散:50 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5.8 S / 2.6 S
下降时间:23 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):170 m Ohms
漏极连续电流:10.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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