Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPP60R165CP | Infineon Technologies | TO-220AB | 369 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R190C6 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 500 | MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：20.2 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0... | ||||||
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IPP60R190E6 | Infineon Technologies | TO-220 | 426 | MOSFET N-CH 650V 20.2A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：20.2 A，电... | ||||||
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IPP60R190P6 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 190 Rds | ||
| 参数：制造商：Infineon，封装形式：TO-220，... | ||||||
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IPP60R199CP | Infineon Technologies | TO-220AB | 1295 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 16A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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IPP60R250CP | Infineon Technologies | TO-220AB | 405 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R280C6 | Infineon Technologies | TO-220 | 503 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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IPP60R280E6 | Infineon Technologies | TO-220 | 420 | MOSFET N-CH 650V 13.8A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：13.8 A，电... | ||||||
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IPP60R299CP | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R380C6 | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | 500 | MOSFET COOL MOS N-Channel | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R380E6 | Infineon Technologies | TO-220 | 694 | MOSFET N-CH 650V 10.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：10.6 A，电... | ||||||
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IPP60R385CP | Infineon Technologies | TO-220AB | 106 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R450E6 | Infineon Technologies | TO-220 | 500 | MOSFET N-CH 650V 9.2A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：9.2 A，电阻... | ||||||
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IPP60R520C6 | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | 500 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R520CP | Infineon Technologies | TO-220 | 499 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R520E6 | Infineon Technologies | TO-220 | 500 | MOSFET N-CH 650V 8.1A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：8.1 A，电阻... | ||||||
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IPP60R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP60R600C6XK IPP60R600C6XKSA1 SP000645074，... | ||||||
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IPP60R600CP | Infineon Technologies | TO-220 | 490 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP60R600E6 | Infineon Technologies | TO-220 | 487 | MOSFET N-CH 650V 7.3A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7.3 A，电阻... | ||||||
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