Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPP055N03L G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-CH 30 V 50 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP057N06N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 934 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续... | ||||||
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IPP057N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 337 | MOSFET OptiMOS PWR TRANS 80V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP05CN10L G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/... | ||||||
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IPP05CN10LGXK | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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IPP05CN10N G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP05N03LA | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH 25V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP05N03LB G | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-CH 30V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP060N06N | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET 60V TO-220 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：45 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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IPP062NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 475 | MOSFET N-Channel 75V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，... | ||||||
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IPP065N03L G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 3 PWR-TRANS N-CH 30V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP065N04N G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，... | ||||||
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IPP065N06L G | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP06CN10L G | Infineon Technologies | TO-220 | 380 | MOSFET OptiMOS 2 PWR-TRANS N-CH 100V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP06CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP06CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP06N03LA | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH 25V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP070N06L G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH 60V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP070N06N G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH 60V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP070N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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