Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SPB04N60S5 | Infineon Technologies | TO-263 | 407 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 4.5A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPB07N60C3 | Infineon Technologies | TO-263 | 1225 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 7.3A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPB07N60S5 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 7.3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPB08P06P G | Infineon Technologies | TO-263 | 955 | MOSFET P-CH 60V 8.8A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
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SPB100N03S2-03 G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 100A 3-PIN TO-263 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SPB100N03S2L-03G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 100A 3-PIN TO-263 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SPB10N10L G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 10.3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPB11N60C3 | Infineon Technologies | TO-263 | 336 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPB11N60S5 | Infineon Technologies | TO-263 | 904 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPB11N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET POWER MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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SPB12N50C3 | Infineon Technologies | TO-263 | 828 | MOSFET COOL MOS N-CH 560V 11.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPB160N04S2-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：160 A... | ||||||
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SPB160N04S2L-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：160 A... | ||||||
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SPB16N50C3 | Infineon Technologies | TO-263 | 513 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 20.7A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPB17N80C3 | Infineon Technologies | TO-263 | 790 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 800V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPB18P06P G | Infineon Technologies | TO-263 | 986 | MOSFET P-CH 60V 18.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
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SPB20N60C3 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V... | ||||||
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SPB20N60CFD | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS 600 V 3.0Ohms | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SP000081282 SPB20N60CFDNT SPB20N... | ||||||
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SPB20N60S5 | Infineon Technologies | TO-263 | 951 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 20A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPB21N50C3 | Infineon Technologies | TO-263 | 552 | MOSFET COOL MOS N-CH 560V 21A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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