Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB50R299CP | Infineon Technologies | TO-263 | 909 | MOSFET COOL MOS N-CH 550V 12A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB530N15N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 925 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
IPB600N25N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 992 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲... | ||||||
|
|
IPB60R099C6 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：37.9 A，电... | ||||||
|
|
IPB60R099CP | Infineon Technologies | TO-263 | 2198 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB60R099CPA | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 600V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
IPB60R125C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 511 | MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A... | ||||||
|
|
IPB60R125CP | Infineon Technologies | TO-263 | 480 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB60R160C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 2252 | MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：23.8... | ||||||
|
|
IPB60R165CP | Infineon Technologies | TO-263 | 728 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB60R190C6 | Infineon Technologies | PG-TO-263 | 1311 | MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20.2... | ||||||
|
|
IPB60R199CP | Infineon Technologies | TO-263 | 1251 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB60R199CPA | Infineon Technologies | MOSFET 600V CoolMOS Power Transistor | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：IPB60R199CPAATMA1 IPB60R199CPAXT... | ||||||
|
|
IPB60R250CP | Infineon Technologies | TO-263 | 822 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.250Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB60R280C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 87 | MOSFET COOLM | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：13.8 A，电... | ||||||
|
|
IPB60R299CP | Infineon Technologies | TO-263 | 679 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 31A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB60R299CPA | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB60R380C6 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：IPB60R380C6ATMA1 IPB... | ||||||
|
|
IPB60R385CP | Infineon Technologies | TO-263 | 1065 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPB60R520CP | Infineon Technologies | TO-263 | 1000 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
56/305 首页 上页 [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] 下页 尾页
