Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPB046N10N3G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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IPB048N06L G | Infineon Technologies | TO-263 | 642 | MOSFET N-CH 60V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB049N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 1163 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB049NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1218 | MOSFET N-Channel 75V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，... | ||||||
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IPB04CN10N G | Infineon Technologies | D2PAK | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANS 100V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB04CNE8N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 85V 100A 3.9mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB04N03LA G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB04N03LAG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 25 V 80 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB04N03LBG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB050N06N G | Infineon Technologies | TO-263 | 928 | MOSFET N-CH 60V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB051NE8N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB052N04N G | Infineon Technologies | TO-263 | 1000 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 70A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB054N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 1285 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB054N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 178 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 80V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB055N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 515 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 50A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB05CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB05N03LAG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB05N03LB G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB065N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 999 | MOSFET N-CH 60V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB065N06L G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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