Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BUZ32 H | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：9.5 ... | ||||||
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BUZ32 H3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 200V Transistor | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：50，零件号别名：BUZ32H3045AATMA1 BUZ32H3045AXT SP0... | ||||||
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BUZ32 L3045A | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | 3 | MOSFET N-CH 200V 9.5A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BUZ73 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 7A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BUZ73 H | Infineon Technologies | TO-220-3 | 1131 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7 A，... | ||||||
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BUZ73 H3046 | Infineon Technologies | TO-262 | 416 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7 A，... | ||||||
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BUZ73A | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 5.5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BUZ73A H | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.5 ... | ||||||
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BUZ73A H3046 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.5 ... | ||||||
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BUZ73AL | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 5.5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BUZ73AL H | Infineon Technologies | TO-220-3 | 1809 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.5 ... | ||||||
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BUZ73L | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 7A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BUZ73L H | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 200V Transistor | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：BUZ73LHXK BUZ73LHXKSA1 SP000683014，... | ||||||
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2N7002 H6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 7845 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：300 m... | ||||||
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2N7002 L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET N-KANAL SML SIG MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | MOSFET N-KANAL SML SIG MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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2N7002DWH6327XT | Infineon Technologies | SOT-363 | 5449 | MOSFET OptiMOS Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：300 ... | ||||||
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IPB009N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | 1619 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 180A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB010N06N | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET 60V TO-263 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | 4,200 | MOSFET MV POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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