Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP129 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 22601 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 240V .05A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSP129 L6906 | Infineon Technologies | SOT-223 | 445 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 240V .05A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSP135 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 2844 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
BSP135 L6433 | Infineon Technologies | SOT-223 | 2229 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSP135 L6906 | Infineon Technologies | SOT-223 | 974 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSP149 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 34241 | MOSFET N-CH 200V 0.66A SMALL SIGNAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
BSP149 L6906 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 4162 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 200V .14A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
BSP149E6327 | Infineon Technologies | SOT-223 | MOSFET N-CH 200 V 2.6 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
BSV236SP L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | MOSFET P-CH 20V 1.5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
|
|
BSV236SPH6327XT | Infineon Technologies | SOT-363 | 2717 | MOSFET OptiMOS -P Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：- 1... | ||||||
|
BSS816NW L6327 | Infineon Technologies | SC-70，SOT-323 | MOSFET N-Channel 20V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，零件号别名：BSS816NWL6327HTMA1 BSS816NWL6327... | ||||||
|
|
BSS606N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSS606NH6327XT，... | ||||||
|
|
BSS606NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
BSS806N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 20V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，零件号别名：BSS806NL6327HTSA1 BSS806NL6327XT... | ||||||
|
|
BSS806NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 1195 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：2.3 A... | ||||||
|
|
BSS7728N H6327 | Infineon Technologies | PG-SOT23-3 | 2260 | MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSS7728N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
BSS7728N L7980 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
BTS110 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET N-Channel 100V TEMPFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
|
|
BTS110 E3045A | Infineon Technologies | TO-220AB SMD | MOSFET N-Channel 100V TEMPFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
37/305 首页 上页 [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] 下页 尾页
