Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSP318S L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 125 | MOSFET N-CH 60V 2.6A SMALL SIGNAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSP318SE6327 | Infineon Technologies | SOT-223 | MOSFET N-CH 60 V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSP300 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 800V .19A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP320S L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 114 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 60V 2.9A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSP320S L6433 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 3999 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 60V 2.9A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSP321P L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 4905 | MOSFET P-CH 100V 0.98A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP322P L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | MOSFET P-CH 100V 1A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP324 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 280 | MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR 400V .17A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP295 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 143 | MOSFET N-CH 60V 1.8A SMALL SIGNAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSP296 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 5758 | MOSFET N-Chan 100V 1.1A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP296 L6433 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 562 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP296E6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 200 V 2.6 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP297 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 850 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 200V .66A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP298 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 183 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 400V .5A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP299 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 175 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 500V .4A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP170P L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 1177 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSP171P L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 60 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSP123 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 4766 | MOSFET N-CH 100 V 0.37 A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP125 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 6082 | MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP125 L6433 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 2785 | MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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