Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSL806N L6327 | Infineon Technologies | TSOP-6 | MOSFET N-Channel 20V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：2.3 A，... | ||||||
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BSP88 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 30 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 240V .35A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP89 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | MOSFET N-CH 240V 0.35A SMALL SIGNAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP89E6327 | Infineon Technologies | SOT-223 | MOSFET N-CH 240 V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：240 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP92P L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP613P L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSP603S2L | Infineon Technologies | SOT-223 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSR302N L6327 | Infineon Technologies | SC-59-3 | 2820 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor 30V 3.7A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSR315P L6327 | Infineon Technologies | SC-59-3 | 2150 | MOSFET P-CH 60V 0.62A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSR316P L6327 | Infineon Technologies | SC-59-3 | 3071 | MOSFET P-CH 100V 0.36A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSR202N L6327 | Infineon Technologies | SC-59-3 | 3145 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal TRANSISTOR 20V 3.8A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSS119 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET CHIPLIEFERUNGEN | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BSS119 L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 1851 | MOSFET N-CH 100V 0.17A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS119 L6433 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 9535 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS119 L7796 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS119 L7978 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS123 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET CHIPLIEFERUNGEN | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BSS123 L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 56431 | MOSFET N-CH 100V 0.17A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS123 L6433 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 10058 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS123 L7874 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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