Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSC060P03NS3E G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 8983 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极连续电流：- 1... | ||||||
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BSC063P03NS3EG | Infineon Technologies | MOSFET P-KANAL | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BSC067N06LS3 G | Infineon Technologies | TDSON | 2316 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC070N10NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 100V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GXT SP0007780... | ||||||
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BSC072N025S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC072N03LD G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 3723 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 30V 20A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC076N06NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC077N12NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 2637 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：98 A，电阻汲... | ||||||
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BSC079N03LSC G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC079N03S G | Infineon Technologies | TDSON | 3475 | MOSFET N-CH 30V 14.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC079N10NS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSC080N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 1971 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 53A 8mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC080N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 2008 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC080P03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 7046 | MOSFET OPTIMOS P-CH -30V -30A 8mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 ... | ||||||
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BSC082N10LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSC084P03NS3 G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4990 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：- 2.5 V... | ||||||
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BSC084P03NS3E G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极连续电流：- 7... | ||||||
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BSC084P03NS3EGXT | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSC085N025SG | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC0901NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 30V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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