Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SPP08P06PG | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET P-KANAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
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SPP11N60C3 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：11 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.38 Ohms，最大工作温度... | ||||||
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SPP11N60S5 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET COOL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：11 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.38 Ohms，最大工作温度... | ||||||
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SPP11N65C3 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：11 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.3... | ||||||
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SPP11N80C3 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET COOL MOS N-CH 800V 11A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI07N60C3 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI07N60S5 | Infineon Technologies | TO-262 | 100 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 7.3A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI07N65C3 | Infineon Technologies | TO-262 | 359 | MOSFET COOL MOS N-CH 730V 7.3A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI07N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | TO-262-3 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7.3 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.... | ||||||
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SPI08N50C3 | Infineon Technologies | TO-262 | 106 | MOSFET COOL MOS N-CH 560V 7.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：560 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI08N80C3 | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET COOL MOS N-CH 800V 8A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI10N10L | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI11N60C3 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI11N60CFD | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.44 Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI11N60S5 | Infineon Technologies | TO-262 | 341 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI11N65C3 | Infineon Technologies | TO-262 | 69 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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SPI12N50C3 | Infineon Technologies | TO-262 | 9 | MOSFET COOL MOS N-CH 560V 11.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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