Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPI45N06S3L-13 | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-CH 55V 45A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPI45N06S4-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI45N06S409AKSA1 IPI45N06S409AKSA2 SP000374... | ||||||
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IPI45N06S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI45N06S4L08AKSA1 IPI45N06S4L08AKSA2 SP0003... | ||||||
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IPI45P03P4L-11 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI45P03P4L11AKSA1 IPI45P03P4L11XK SP0003963... | ||||||
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IPI47N10S33 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：47 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPI47N10S-33 | Infineon Technologies | TO-262 | 485 | MOSFET SIPMOS PWR-TRANS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI47N10SL26 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：47 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPI47N10SL-26 | Infineon Technologies | TO-262 | 395 | MOSFET SIPMOS PWR-TRANS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI50CN10N G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-CH 100V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI50N10S3L-16 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极... | ||||||
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IPI50R140CP | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET CoolMOS PWR Trnsistr 23/15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI50R299CP | Infineon Technologies | TO-262-3 | 500 | MOSFET CoolMOS Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12 A... | ||||||
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IPI50R350CP | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.350 Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI50R399CP | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 560V 0.399 Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 150V Transistor N-Channel | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：SP000807642，... | ||||||
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IPI600N25N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3 | 448 | MOSFET N-Channel 250V Transistor N-Channel | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：25 A... | ||||||
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IPI60R099CP | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.099Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI60R099CPA | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS 600 V .199Ohms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI60R125CP | Infineon Technologies | TO-262 | 302 | MOSFET COOL MOS N-CH 650V 0.125Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI60R165CP | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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