Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPI120N06S4-H1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI120N06S4H1AKSA1 IPI120N06S4H1AKSA2 SP0004... | ||||||
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IPI120P04P4L-03 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -120A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPI120P04P4L03AKSA1 IPI120P04P4L03XK SP00084... | ||||||
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IPI126N10N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI12CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-CH 100V 67A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI12CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-CH 85V 67A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI139N08N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI147N12N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3 | 500 | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：56 A... | ||||||
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IPI16CN10N G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 53A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI16CNE8N G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 85V 53A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI180N10N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | 490 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：43 A... | ||||||
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IPI200N15N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI200N25N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3 | 394 | MOSFET N-Channel 250V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：64 A... | ||||||
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IPI22N03S4L-15 | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 22A 14.6mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPI25N06S3-25 | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-CH 55V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI25N06S3L-22 | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 55V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPI26CN10N G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 35A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI26CNE8N G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 85V 35A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI320N20N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3 | 478 | MOSFET N-Channel 200V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：34 A... | ||||||
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IPI35CN10N G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 27A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI45N06S3-16 | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-CH 55V 45A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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