Fairchild Semiconductor
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQB6N70TM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 700V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸... | ||||||
|
|
FQB6N80TM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 800V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸... | ||||||
|
FQB6N90TM | Fairchild Semiconductor | D2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸... | ||||||
|
|
FQB6N90TM_AM002 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 900V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸... | ||||||
|
FQB6P25TM | Fairchild Semiconductor | D2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 250 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
|
|
FQB70N08TM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 80V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/... | ||||||
|
|
FQB70N10TM | Fairchild Semiconductor | D2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
|
|
FQB70N10TM_AM002 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET NCh/100V/57a/.025Ohm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
|
|
FQB7N10LTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
|
|
FQB7N10TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 100V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
|
|
FQB7N20LTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
|
|
FQB7N20TM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-CH/200V/6.6A/0.69OHM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
|
|
FQB7N30TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 300V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸... | ||||||
|
|
FQB7N40TM | Fairchild Semiconductor | D2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
|
|
FQB7N60TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 600V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸... | ||||||
|
|
FQB7N60TM_WS | Fairchild Semiconductor | D2PAK | 800 | MOSFET 600V 7.4A 1Ohm N-Channel | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸... | ||||||
|
FQB7N65CTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 650V 7A NCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸... | ||||||
|
|
FQB7N80TM | Fairchild Semiconductor | D2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸... | ||||||
|
|
FQB7N80TM_AM002 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 800V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸... | ||||||
|
|
FQB7P06TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 60V P-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，... | ||||||
177/225 首页 上页 [172] [173] [174] [175] [176] [177] [178] [179] [180] [181] [182] 下页 尾页
