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FQB7N10TM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 6462
说明：: MOSFET 100V N-Channel QFET

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FQB7N10TM-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

FQB7N10TM PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
工厂包装数量：750
上升时间：24 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3.6 S
下降时间：19 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.35 Ohms
漏极连续电流：7.3 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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