Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FZ800R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 1.2KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FZ800R16KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1600V 800A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
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FZ800R17KF4C | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ800R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.3KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter Common Gate，集电极—发射极最... | ||||||
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FZ800R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1700V 800A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
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FZ800R33KF2C | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 3300V 800A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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FZ800R33KL2C | Infineon Technologies | IHV130 | IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1.5KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FZ800R33KL2C_B5 | Infineon Technologies | IHV130 | IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1.5KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FZ900R12KE4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 1200V 900A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FZ900R12KF5 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ900R12KP4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 900A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ3600R17HE4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 3600A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
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FZ3600R17HP4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 3600A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
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FZ3600R17HP4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 3600A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ3600R17KE3 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 4.8KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FZ3600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT-MODULES | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FZ400R12KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 400A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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FZ400R12KE3B1 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 650A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集电极—发... | ||||||
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FZ1200R33KL2C | Infineon Technologies | IHV190 | IGBT 模块 N-CH 3.3KV 2.3KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FZ1200R33KL2C_B5 | Infineon Technologies | IHV190 | IGBT 模块 N-CH 3.3KV 2.3KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V，在25 C的连续集... | ||||||
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