Infineon Technologies
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图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FF200R12KT4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A | |||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
FF200R12MT4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 IGBT-MODULE | |||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
FF200R17KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 390A | |||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
FF200R17KE3_S4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 200A | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
FF225R12ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 325A | |||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
FF225R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 225A | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
FF225R12MS4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 275A | |||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
FF225R17ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 340A | |||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
FF225R17ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 225A | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
FF300R06KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 600V 400A | |||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,在25 C的连续集电极电... | ||||||
FF300R06KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 300A | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
FF300R06ME3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 300A | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
FF300R12KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A | ||||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,工厂包装数量:10,... | ||||||
FF300R12KE4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 460A | |||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
FF300R12KE4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 300A | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
FF300R12KT3 | Infineon Technologies | 62 mm | 5 | IGBT 模块 1200V 300A DUAL | ||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 模块,RoHS:否,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
FF300R12KT3_E | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 300A | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
FF300R12KT4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 300A | ||||
参数:制造商:Infineon,... | ||||||
FF300R12ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 500A | |||
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
FF300R12ME4 | Infineon Technologies | 6 | IGBT 模块 IGBT 1200V 300A | |||
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—... |
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