GeneSiC Semiconductor
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GeneSiC Semiconductor is a pioneer and world leader in Silicon Carbide technology and also develops high power Silicon technologies. GeneSiC Semiconductor plays a key enabling role in conserving energy in a wide array of high power systems. GeneSiC's technology enables efficient harvesting of renewable energy sources. GeneSiC electronic components run cooler, faster, and more economically. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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G2SBA08 | GeneSiC Semiconductor | GBL | 桥式整流器 桥式整流器 - 800 V - 1.5 A - GBL | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，峰值反向电压：800 V，最大 RMS 反向电压：560 V，正向连续电流：1.5 A，最大浪涌电流：60 ... | ||||||
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G2SBA10 | GeneSiC Semiconductor | GBL | 桥式整流器 桥式整流器 - 1000 V - 1.5 A - GBL | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，峰值反向电压：1000 V，最大 RMS 反向电压：700 V，正向连续电流：1.5 A，最大浪涌电流：60... | ||||||
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DB151G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1.5A50P/35R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：50 V，最大 RMS 反向电压：35 V，正向连续电流：1.5 A，最大浪涌电... | ||||||
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DB152G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V1.5A100P/70R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：100 V，最大 RMS 反向电压：70 V，正向连续电流：1.5 A，最大浪涌... | ||||||
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DB153G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1KV 1.5A200P/140R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：200 V，最大 RMS 反向电压：140 V，正向连续电流：1.5 A，最大浪... | ||||||
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DB154G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1KV 1.5A400P/280R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：400 V，最大 RMS 反向电压：280 V，正向连续电流：1.5 A，最大浪... | ||||||
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DB155G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1KV 1.5A600P/420R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：600 V，最大 RMS 反向电压：420 V，正向连续电流：1.5 A，最大浪... | ||||||
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DB156G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1KV 1.5A800P/560R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：800 V，最大 RMS 反向电压：560 V，正向连续电流：1.5 A，最大浪... | ||||||
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DB157G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V1.5A1KP/700R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：1000 V，最大 RMS 反向电压：700 V，正向连续电流：1.5 A，最大... | ||||||
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DB101G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A 50P/35R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：50 V，最大 RMS 反向电压：35 V，正向连续电流：1 A，最大浪涌电流：... | ||||||
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DB102G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A 100P/70R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：100 V，最大 RMS 反向电压：70 V，正向连续电流：1 A，最大浪涌电流... | ||||||
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DB103G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 6,180 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140R | |
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：200 V，最大 RMS 反向电压：140 V，正向连续电流：1 A，最大浪涌电... | ||||||
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DB104G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1KV 1A 400P/280R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：400 V，最大 RMS 反向电压：280 V，正向连续电流：1 A，最大浪涌电... | ||||||
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DB105G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A600P/420R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：600 V，最大 RMS 反向电压：420 V，正向连续电流：1 A，最大浪涌电... | ||||||
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DB106G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1KV 1A 800P/560R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：800 V，最大 RMS 反向电压：560 V，正向连续电流：1 A，最大浪涌电... | ||||||
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DB107G | GeneSiC Semiconductor | 4-EDIP（0.321"，8.15mm） | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V1A1000P/700R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：1000 V，最大 RMS 反向电压：700 V，正向连续电流：1 A，最大浪涌... | ||||||
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M3P75A-40 | GeneSiC Semiconductor | 模块 | BRIDGE RECT 3P 400V 75A MODULE | ||
| 参数：GeneSiC Semiconductor|散装|-|停产|Three Phase|标准|400 V|75 A|-|10 μA @ 400 V|-|底座安装|模... | ||||||
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GBPC50005T | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，GBPC | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 50A GBPC | ||
| 参数：GeneSiC Semiconductor|散装|-|在售|Single Phase|标准|50 V|50 A|1.2 V @ 25 A|5 μA @ 50 V... | ||||||
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GBPC5010T | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，GBPC | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBPC | ||
| 参数：GeneSiC Semiconductor|散装|-|在售|Single Phase|标准|1 kV|50 A|1.1 V @ 25 A|5 μA @ 1000... | ||||||
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GBPC5001T | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，GBPC | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 50A GBPC | ||
| 参数：GeneSiC Semiconductor|散装|-|在售|Single Phase|标准|100 V|50 A|1.2 V @ 25 A|5 μA @ 100... | ||||||
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