Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SMBT 3906S H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，零件号别名：SMBT3906SH6327... | ||||||
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SMBT 3906U E6327 | Infineon Technologies | SC-74-6 | 两极晶体管 - BJT PNP Silicon Switch TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：40 V，集电极—发... | ||||||
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SMBTA 06 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 25321 | 两极晶体管 - BJT NPN 80 V 500 mA | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：80 V，集电极... | ||||||
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SMBTA 06 E6433 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：PNP，集电极—基极电压 VCBO：80 V，集电极... | ||||||
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SMBTA 06UPN E6327 | Infineon Technologies | SC-74-6 | 7545 | 两极晶体管 - BJT NPN / PNP Silicon AF TRANSISTOR ARRAY | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：NPN/PNP，集电极—基极电压 VCBO：80 V，集... | ||||||
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BSD816SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | 两极晶体管 - BJT SMALL SIGNAL N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSD816SNH6327 BSD816SNH6327XT，... | ||||||
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BFS 17P E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：25 V，集电极... | ||||||
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BFS 17P E6433 | Infineon Technologies | PG-SOT23 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：25 V，集电极... | ||||||
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BFS 17S E6327 | Infineon Technologies | SOT-363-6 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：25 V，集电极—发... | ||||||
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BFS 17W E6327 | Infineon Technologies | SOT-323-3 | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTORS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：25 V，集电极... | ||||||
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BFS 481 E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：20 V，集电极—发... | ||||||
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BFS 483 E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：20 V，集电极—发... | ||||||
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BSP 50 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BSP50H6327XT，... | ||||||
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BSP 51 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BSP51H6327XT，... | ||||||
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BSP 52 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BSP52H6327XT，... | ||||||
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BSP 60 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BSP60H6327XT，... | ||||||
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BSP 61 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BSP61H6327XT，... | ||||||
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BSP 62 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BSP62H6327XT，... | ||||||
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BDP 947 E6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 1657 | 两极晶体管 - BJT Silicn NPN TRANSISTR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—基极电压 VCBO：45 V，集电极... | ||||||
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BDP 947 H6327 | Infineon Technologies | 两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：两极晶体管 - BJT ，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：BDP947H6327XT，... | ||||||
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