BFS 481 E6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT363-PO
数量：: 3213
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR

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BFS 481 E6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BFS481E6327XT
工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：175 mW
集电极连续电流：0.02 A
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：70 at 5 mA at 8 V
增益带宽产品fT：8000 MHz
最大直流电集电极电流：0.02 A
发射极 - 基极电压 VEBO：2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V
集电极—基极电压 VCBO：20 V
晶体管极性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Infineon

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