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California Eastern Laboratories (CEL) is the exclusive sales and marketing partner in North America and Latin America for products made by the Compound Semiconductor Devices Business Division (CSDBD) of Renesas Electronics Corporation, formerly NEC Electronics Corporation. These products include RF components and RFICs, optocouplers, solid state relays, and lasers and detectors for fiber optics. CEL maintains extensive inventories, sets pricing, and provides engineering and applications support at its design center in Santa Clara, CA. CEL also develops its MeshConnect™ line of IEEE 802.15.4/ZigBee radio modules and transceiver ICs and is a member of the ZigBee Alliance (www.zigbee.org)
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NE856M03-A CEL 3 针 SuperMiniMold(M03) 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:4 GHz,集电极—发射极最大电压 VCEO...
NE856M03-T1 CEL M03 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:125 mW,封装形式:M03,包装形式:Reel,...
NE856M03-T1-A CEL M03 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:125 mW,直流集...
NE856M13 CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:140 mW,封装形式:M13,安装风格:SMD/S...
NE856M13-A CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:140 mW,封装形式:M13,包装形式:Bulk,...
NE856M13-T3 CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:140 mW,封装形式:M13,包装形式:Reel,...
NE856M13-T3-A CEL 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Tape,...
点击查看NE894M13-A参考图片 NE894M13-A CEL M13 757 射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:3 V,发射极 - 基极...
点击查看NE894M13-T3-A参考图片 NE894M13-T3-A CEL M13 射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.035 A,功率耗散:105 mW,直...
点击查看NE662M04-T2-A参考图片 NE662M04-T2-A CEL SOT-343F 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,晶体管极性:NPN,最大工作频率:2 GHz,集电极...
点击查看NE662M16-A参考图片 NE662M16-A CEL M16 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:25 GHz,集电极—发射极最大电压 VCE...
NE662M16-T3-A CEL M16 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.035 A,功率耗散:115 mW,封...
点击查看NE663M04-A参考图片 NE663M04-A CEL SOT-343F 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:190 mW,封装形...
NE663M04-T2-A CEL SOT-343 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.1 A,功率耗散:190 mW,封装形...
点击查看NE664M04-A参考图片 NE664M04-A CEL SOT-343F 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极—发射极最大电压 VCEO:5 V,发射极 - 基极...
NE664M04-T2 CEL SOT-343 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.5 A,功率耗散:735 mW,封装形式:SOT-343,包装形式:R...
点击查看NE664M04-T2-A参考图片 NE664M04-T2-A CEL SOT-343F 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.5 A,功率耗散:735 mW,封装形...
点击查看NE677M04-A参考图片 NE677M04-A CEL SOT-343F 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,晶体管极性:NPN,最大工作频率:1.8 GHz,集...
点击查看NE677M04-T2-A参考图片 NE677M04-T2-A CEL SOT-343F 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.05 A,功率耗散:205 mW,封装...
点击查看NE678M04-A参考图片 NE678M04-A CEL SOT-343F 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,晶体管极性:NPN,最大工作频率:1.8 GHz,集...

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