Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IHW20N120R3 | Infineon Technologies | TO247-3 | 227 | IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1.48 V，栅极/发射极最大... | ||||||
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IHW20N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3-1 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.35 kV，集电极—射极饱和电压：1.8 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在2... | ||||||
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IHW20T120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.2 KV，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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IHW25N120R2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.2 KV，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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IHW30N100R | Infineon Technologies | PG-TO247-3-1 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1000V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1 KV，集电极—射极饱和电压：1.7... | ||||||
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IHW30N100T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1000V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1 KV，集电极—射极饱和电压：1.5... | ||||||
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IHW30N110R3 | Infineon Technologies | TO-247 | 187 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1100 V，集电极—射极饱和电压：1... | ||||||
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IHW30N120R | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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IHW30N120R2 | Infineon Technologies | PG-TO247-3-1 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.2 KV，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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IHW30N120R2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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IHW30N120R3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.35 kV，集电极—射极饱和电压：1.85 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在... | ||||||
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IHW30N160R2 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.6 KV，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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IHW30N60T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.... | ||||||
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IHW30N90R | Infineon Technologies | PG-TO247-3-1 | IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 900V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，集电极—射极饱和电压：1.... | ||||||
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IHW30N90T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 900V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，集电极—射极饱和电压：1.... | ||||||
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IHW40N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO247-3 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.35 kV，集电极—射极饱和电压：1.85 V，栅极/发射极最大电压：20 V，在... | ||||||
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IHW40N60R | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.65 V，栅极/发射极最大电... | ||||||
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IHW40N60RF | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：240，零件号别名：IHW40N60RFFKSA1 IHW40N60RFXK SP00... | ||||||
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IHW40N60T | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 40A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.... | ||||||
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