Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源,也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIP41111DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 功率驱动器IC H-Bridge N-Ch MOSFET | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:是,类型:High Side/Low Side,上升时间:14 ns,下降时间:15 ns,电源电压... | ||||||
SIP42104DX-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SC-89-6(SOT-666) | 功率驱动器IC H-Bridge & PWM for Digital Camera Mod | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:是,类型:Low Side,电源电压-最小:2.3 V,电源电流:0.005 mA,最大功率耗散:1... | ||||||
SI9750CY | Vishay/Siliconix | SO-16 | 功率驱动器IC MOSFET Driver | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:过渡期间,类型:MOSFET Driver,电源电压-最小:2.9 V,电源电流:8 mA,最大功率... | ||||||
SI9750CY-E3 | Vishay/Siliconix | 功率驱动器IC InRush Current Limit MOSFET | ||||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:是,类型:High Side,电源电压-最小:2.9 V,最大功率耗散:900 mW,最大工作温度:... | ||||||
SI9750CY-T1 | Vishay/Siliconix | 功率驱动器IC InRush Current Limit MOSFET | ||||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:否,类型:High Side,电源电压-最小:2.9 V,最大功率耗散:900 mW,最大工作温度:... | ||||||
SI9750CY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 功率驱动器IC InRush Current Limit MOSFET | ||||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:是,类型:High Side,电源电压-最小:2.9 V,最大功率耗散:900 mW,最大工作温度:... | ||||||
SI9910DJ | Vishay/Siliconix | DIP-8 | 功率驱动器IC MOSFET Driver | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:过渡期间,类型:Adaptive Power MOSFET Driver,上升时间:50 ns,下降... | ||||||
SI9910DJ-E3 | Vishay/Siliconix | 8-PDIP | 功率驱动器IC MOSFET Driver | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:是,产品:MOSFET Gate Drivers,类型:Non-Inverting,上升时间:50 ... | ||||||
SI9910DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | 功率驱动器IC MOSFET Driver | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:否,类型:Adaptive Power MOSFET Driver,上升时间:50 ns,下降时间:... | ||||||
SI9910DY-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 功率驱动器IC DRVR 1A Sngl. Non-Inv Hi Side | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:是,类型:High Side,上升时间:50 ns,下降时间:35 ns,电源电压-最小:10.8 ... | ||||||
SI9910DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | 功率驱动器IC MOSFET Driver | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:否,类型:Adaptive Power MOSFET Driver,上升时间:50 ns,下降时间:... | ||||||
SI9910DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 功率驱动器IC MOSFET Driver | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:是,类型:High Side,上升时间:50 ns,下降时间:35 ns,电源电压-最小:10.8 ... | ||||||
SI9912DB | Vishay/Siliconix | 功率驱动器IC SMD SI9912 Kit | ||||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:过渡期间,包装形式:Bulk,... | ||||||
SI9912DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | 功率驱动器IC Dual MOSFET Driver | |||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,类型:High Side/Low Side,电源电压-最小:4.5 V,电源电流:9 mA,最大功率耗散:830 mW,最大... | ||||||
SI9912DY-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 功率驱动器IC H-Bridge MOSFET | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:是,产品:Half-Bridge Drivers,类型:High Side/Low Side,电源电... | ||||||
SI9912DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | 功率驱动器IC Dual MOSFET Driver | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:否,类型:Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power... | ||||||
SI9912DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 功率驱动器IC Dual MOSFET Driver | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:是,产品:MOSFET Gate Drivers,类型:Inverting, Non-Inverti... | ||||||
SI9913DB | Vishay/Siliconix | 功率驱动器IC SMD SI9913 Kit | ||||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:过渡期间,包装形式:Bulk,... | ||||||
SI9913DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | 功率驱动器IC Dual MOSFET Driver | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:否,类型:High Side/Low Side,电源电压-最小:4.5 V,电源电流:5.5 mA,... | ||||||
SI9913DY-E3 | Vishay/Siliconix | 功率驱动器IC H-Bridge MOSFET | ||||
参数:制造商:Vishay,产品种类: 功率驱动器IC,RoHS:是,产品:Half-Bridge Drivers,类型:High Side/Low Side,电源电... |
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