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中文参数如下:
工厂包装数量:3000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:3000 mW
直流电流增益 hFE 最大值:200
封装形式:MLP-832
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:200 at 10 mA at 2 V at NPN, 300 at 0.2 A at 2 V at NPN, 200 at 1 A at 2 V at NPN, 100 at 2 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 300 at 0.1 A at 2 V at PNP, 180 at 1 A at 2 V at PNP, 60 at 1.5 A at 2 V at PNP, 12 at 3 A at 2 V at PNP
增益带宽产品fT:165 MHz, 190 MHz
最大直流电集电极电流:4 A, 3 A
发射极 - 基极电压 VEBO:7.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V, 40 V
集电极—基极电压 VCBO:100 V, 50 V
晶体管极性:NPN/PNP
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Diodes Inc.
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